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通信设备过电压保护用气体放电管通用技术条件

General technical requirements of gas discharge tubes for the over-voltage protection of telecommunications installations

半导体器件 分立器件分规范

Semiconductor devices--Sectional specification for discrete devices

压电陶瓷振子频率温度稳定性的测试方法

Test method for frequency temperature stability of piezoelectric ceramic vibrator

铁电陶瓷材料电滞回线的准静态测试方法

Quasi-static test method for ferroelectric hysteresis loop of ferroelectric ceramics

固体电介质微波复介电常数的测试方法

Test method for complex permittivity of solid dielectric materials at microwave frequencies

电气元器件的标准数据元素类型和相关分类模式 第3部分:维护和确认的程序

Standard data element types with associated classification scheme for electric components--Part 3:Maintenance and validation procedures

钇钡铜氧(123相)超导薄膜临界温度Tc的直流电阻试验方法

The DC electric resistance test method for the critical temperature Tc of a YBa2Cu3O7-δ superconducting thin film

半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第一篇 1 GHz、5 W以下的单栅场效应晶体管 空白详细规范

Semiconductor devices--Discrete devices--Part 8:Field-effect transistors--Section One:Blank detail specification for single-gate field-effect transistors up to 5W and 1GHz

半导体器件 分立器件 第2部分:整流二极管 第一篇 100A以下环境或管壳额定整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范

Semiconductor devices--Discrete devices--Part 2:Rectifier diodes--Section One:Blank detail specification for rectifier diodes(including avalanche recti fier diodes)，ambient and case-rated，up to 100A

半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路 第五篇 CMOS数字集成电路4000B和4000UB系列空白详细规范

Semiconductor devices--Integrated circuits--Part 2:Digital integrated circuits--Section Five:Blank detail specification for complementary MOS digital inte-grated circuits，series 4000B and 4000UB

频率低于3 MHz的矩形连接器 第1部分 总规范 一般要求和编制有质量评定要求的连接器详细规范的导则

Rectangular connectors for frequencies below 3 MHz--Part 1: Generic specification--General requirements and guide for the preparation of detail specifications for connectors with assessed quality

半导体器件 分立器件 第7部分:双极型晶体管 第四篇 高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细规范

Semiconductor devices--Discrete devices--Part 7:Bipolar transistors--Section Four:Blank detail specification for case-rated bipolartransistors for high-frequency amplification

半导体器件 分立器件 第7部分:双极型晶体管 第一篇 高低频放大环境额定的双极型晶体管空白详细规范

Semiconductor devices--Discrete devices--Part 7:Bipolar transistors--Section One:Blank detail speci-fication for ambient-rated bipolar transistors for low and high frequency amplification

半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路

Semiconductor devices--Integrated circuits--Part 2:Digital integrated circuits

半导体器件 分立器件和集成电路 第1部分:总则

Semiconductor devices--Discrete devices and integrated circuits--Part 1:General

半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路 第四篇 CMOS数字集成电路 4000B和4000UB系列族规范

Semiconductor devices--Integrated circuits--Part 2:Digital integrated circuits--Section Four:Family specification for complementary MOS digital integrated circuits，series 4000B and 4000UB

半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 第二篇 100A以下环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范

Semiconductor devices--Discrete devices--Part6:Thyristors--Section Two:Blank detail specification for bidirectional triode thyristors(triacs)，ambient or case-rated，up to 100A

半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 第一篇 100A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范

Semiconductor devices--Discrete devices--Part 6:Thyristors--Section One:Blank detail specification for reverse blocking triode thyristors，ambient or case-rated，up to 100A

压电陶瓷材料性能试验方法 长条横向长度伸缩振动模式

Test methods for the properties of piezoelectric ceramics--Transverse length extension vibration mode for bar

压电陶瓷材料性能试验方法 圆片径向伸缩振动模式

Test methods for the properties of piezoelectric ceramics--Radial extension vibration mode for disk